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双并立式圆形CVD气相沉积炉

生产优势:采用双炉体并联设计,共用一套电源及控制系统,可实现交替加热运行,极大地提高了设备周转率与生产效率。 核心性能:最高设计温度达 2100℃,专为CVD沉积及CVI气相渗透工艺开发,适用于碳/碳复合材料的长周期致密化处理。 智能集成:配备多区精密钨铼热电偶、质量流量计及西门子PLC自动化控制,确保每一批次产品的沉积厚度与质量高度一致。
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产品概述 / Overview

双并立式圆形CVD气相沉积炉是远航工业炉为解决高性能复合材料(C/C, C/SiC)批量化生产而研制的高效系统。该设备通过在真空或保护气气氛下,将前驱气体引入高温反应室,在基底表面沉积形成致密涂层或通过气相渗透(CVI)填充孔隙,从而提升材料的力学性能。

双并立式圆形CVD气相沉积炉设备图1

图:远航工业炉-双并立式高效CVD沉积系统实拍

核心技术特征 / Features

  • ?? 双炉高效产出:一套电源系统支持双炉体,在二号炉降温出料时,一号炉可处于加热或沉积状态,无缝对接。
  • ?? 超高温环境:常用工作温度 2000℃,极限设计温度达 2100℃,确保沉积产物的结晶度与质量。
  • ?? 精密气流布气:多通道进气系统配有七星华创质量流量计,保证反应气体在圆形炉膛内的均匀分布。
  • ?? 全自动工艺控制:采用西门子PLC结合日本岛电精密仪表,支持工艺参数的实时记录、查询与历史导出。

核心技术参数 / Specs

设备型号 YHGYL-CJL系列(尺寸规格支持定制)
加热方式 等静压石墨电阻加热(低压大电流控温)
温度均匀度 ≤ ±3℃(恒温阶段)
冷态极限真空 ≤ 5Pa
控温精度 ±0.1℃
真空系统 2H-150滑阀泵 + 电容薄膜真空规管反馈控制


典型应用领域 / Applications

  • • 航空航天: 炭刹车盘、航空结构件的沉积强化。
  • • 单晶/多晶硅: 炭-炭热场材料(埚托、导流筒、保温筒)生产。
  • • 半导体行业: 高纯石墨件表面SiC涂层制备。
  • • 新型碳材: 石墨烯、碳纳米管的制备研究。
CVD气相沉积炉生产细节图

图:远航工业炉-CVD/CVI工艺精密反应室细节

远航工业炉支持“双炉并联”或“多工位”非标定制。

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