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下出料CVD气相沉积/碳化炉

设备用途:主要用于CVD和CVI工艺制备C/C、C/SiC及SiC/SiC等高性能复合材料。 核心优势:下出料结构设计,极大地便利了大尺寸、重型碳材工件的装卸与连续生产,最高设计温度达 2100℃。 技术保障:采用等静压石墨电阻加热与低压大电流控制,配备西门子PLC及15寸触摸屏,支持全自动工艺编程与数据导出。
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产品概述 / Overview

化学气相沉积CVD)是一种通过前驱气体热分解生成反应产物,并沉积在基底形成薄膜或基体致密化的工艺。远航工业炉研发的下出料 CVD/碳化炉,针对碳/碳(C/C)复合材料碳化硅(SiC)涂层等领域设计,是实现高性能材料致密化的核心关键设备。

下出料CVD气相沉积炉设备实拍

图:远航工业炉-下出料CVD气相沉积/碳化炉实操现场

行业应用 / Applications

  • ? 民航飞机炭刹车盘制备
  • ? 单晶硅生长炉用炭-炭热场
  • ? 多晶硅铸锭炉用结构件
  • ? 炭-炭高温结构零部件
  • ? 炭-炭-碳化硅复合材料
  • ? 碳碳导流筒/保温筒/埚托

技术规格表 / Technical Specs

加热方式 等静压石墨电阻加热(低压大电流方式)
设计/常用温度 最高温度 2100℃ / 长期常用 2000℃
温控精度 ±0.1℃(日本岛电精密仪表控制)
极限真空度 ≤ 5Pa(冷态空炉状态下)
恒压控制 100-7500Pa 范围全自动微正压恒定控制
控制系统 西门子PLC + 15寸台达触摸屏(带历史数据导出)
有效放料空间 根据客户工艺需求提供非标尺寸定制


系统特征 / System Features

1. 多级气路管理: 配备北京七星华创质量流量计,精确控制前驱体及保护气体流量。

2. 高安全性设计: 全面配备声光报警系统、PLC逻辑互锁及多重超温保护。

3. 定制化物流: 配置专用下出料进出料车,大幅提升生产效率并降低工人劳动强度。

4. 精密真空控制: 采用电阻+电容薄膜真空规管,实现全量程高精度真空测量与反馈。

?? 远航提示:CVD/CVI工艺复杂,反应室设计与气路配置需严谨。我们提供多种尺寸定制及技术扩展服务,欢迎拨打 15115399105 咨询。

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